短线炒股

来源：御用小威的后花园 MOSFET的Drain（漏极）、Source（源极）、G（栅极）三个引脚，其两两之间都可以用TVS来做过压保护。           VGS的保护（TVS1） MOSFET的规格书中对于VGS都会有限定的电压范围。...

金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，中国工商银行股份有限公司申请一项名为“计算资源的评估方法、装置、存储介质及电子设备”，公开号CN117130889A，申请日期为2023年8月。 专利摘要显示，本发明公开了一种计算资源的评估方法、装置、存储介质及电子设备。涉及大数据技术领域。其中，该方法...