耐高温、长寿命、高集成！村田硅电容正成为AI与高速通信领域的关键器件

耐高温、长寿命、高集成！ 村田硅电容正成为 AI与高速 通信领域的关键器件

电子发烧友网报道（文/黄山明）随着社会逐渐步入AI时代，也促使着AI系统对 电源完整性、封装密度、 信号稳定性提出更高要求。有市场研究机构预测，受AI集群建设推动，2025-2026年全球光模块市场年增长率将达到30-35%。

而硅 电容在耐高温、寿命上相比传统电容更有优势，同时在封装集成、 电源管理、系统可靠性等方面扮演更加关键的角色。在第26届中国国际 光电博览会上，电子发烧友网采访到了村田制作所（Murata）的相关专家，对硅电容在当前的应用与发展有了更深入的了解。

所谓硅电容，是一种利用 半导体工艺在硅片上制造出的高性能、高可靠性、极其稳定的 电容器。它并非旨在全面取代传统 MLCC，而是在MLCC性能无法满足要求的高端领域扮演着关键角色，是推动 5G通信、 自动驾驶、AI和航空航天等技术发展的幕后功臣之一。

此次村田也带来了超宽频硅电容产品矩阵，产品包括适用于信号线交流 耦合的表贴电容，最高带宽可支持到220GHz，也有可用于TOSA/ ROSA偏置线的直流去耦打线电容及集成RC的定制硅基板。

据村田高级产品线经理Oliver Gaborieau透露，目前村田硅电容的工厂及研发所在地均位于法国，并已经有了两条硅电容的生产线，一条是6英寸，另一条为8英寸。

同时，村田的硅电容应用3D电容的封装形式，内部采用三棱柱及更先进得纳米孔状结构等设计，让产品电容密度可以做到2.5μF/mm²，厚度也可以做到40μm以下，这种超薄特性有利于在高度集成的电路中使用，节省空间，助力电子设备向小型化、轻薄化发展。

此外，村田的3D硅电容可以在-250℃-250℃的宽温度范围内具有高稳定性，这意味着它能在极端冷热的环境下正常工作，不仅能够适用于AI场景，还适用于航空航天、汽车等对温度要求苛刻的领域。